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IS45R32160D

Internal bank for hiding row access/precharge

文件:1.57364 Mbytes 页数:66 Pages

ISSI

矽成半导体

IS45R32160F

8K refresh cycles every 64 ms

文件:1.71168 Mbytes 页数:68 Pages

ISSI

矽成半导体

IS45R83200D

256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

文件:1.1812 Mbytes 页数:62 Pages

ISSI

矽成半导体

IS45R86400D

Internal bank for hiding row access/precharge

文件:1.57364 Mbytes 页数:66 Pages

ISSI

矽成半导体

IS45R86400F

8K refresh cycles every 64 ms

文件:1.71168 Mbytes 页数:68 Pages

ISSI

矽成半导体

IS45RM16200D-6BLA1

1M x 16Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM

文件:806.07 Kbytes 页数:34 Pages

ISSI

矽成半导体

IS45RM16200D-75BLA1

1M x 16Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM

文件:806.07 Kbytes 页数:34 Pages

ISSI

矽成半导体

IS45RM16800H-6BLA1

2M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

文件:854.04 Kbytes 页数:34 Pages

ISSI

矽成半导体

IS45RM16800H-75BLA1

2M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

文件:854.04 Kbytes 页数:34 Pages

ISSI

矽成半导体

IS45RM32100D-6BLA1

512K x 32Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM

文件:846.4 Kbytes 页数:34 Pages

ISSI

矽成半导体

产品属性

  • 产品编号:

    IS456

  • 制造商:

    Sharp Microelectronics

  • 类别:

    传感器,变送器 > 光学传感器 - 环境光,IR 红外线,UV 紫外线传感器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 类型:

    环境

  • 波长:

    660nm

  • 接近探测:

  • 输出类型:

    逻辑

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    0°C ~ 60°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    4-SMD,鸥翼

  • 供应商器件封装:

    迷你型 扁平封装

  • 描述:

    SENSOR OPT 660NM AMB MIN FLATPAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SHARP
2447
DIP
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
SHARP
23+
DIP
569
全新原装正品现货,支持订货
询价
SHARP
24+
DIP
5000
全新原装正品,现货销售
询价
SHARP
24+
DIP
5000
只有原装
询价
SHARP
24+
DIP
8000
新到现货,只做全新原装正品
询价
SHARP
26+
DIP
12000
原装,正品
询价
ISSI
25+
BGA
1450
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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ISSI
23+
BGA
3000
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
询价
ISSI
1031+
BGA
1450
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
ISSI
23+
BGA
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
询价
更多IS45供应商 更新时间2025-12-22 15:03:00