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IS45S16400F	文件：1.05389 Mbytes Page：58 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：1.05389 Mbytes 页数：58 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S16400F-6BLA1	文件：1.05389 Mbytes Page：58 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：1.05389 Mbytes 页数：58 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS45S16400F-7BLA1	文件：1.05389 Mbytes Page：58 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：1.05389 Mbytes 页数：58 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS45S16400F-7CTNA2	文件：1.05389 Mbytes Page：58 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：1.05389 Mbytes 页数：58 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S16400F-7TLA1	文件：1.05389 Mbytes Page：58 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：1.05389 Mbytes 页数：58 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S16400F-7TLA2	文件：1.05389 Mbytes Page：58 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：1.05389 Mbytes 页数：58 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S16400F	文件：300 bytes Page：1 Pages	SDR SDRAM ·Synchronous, with 3.3V power supply\n·LVTTL interface\n·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)\n·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave\n·Self refresh and Auto Refresh modes\n·Random column address every clock cycle\n·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)\n·Burst read/write	ISSI 矽成半导体	ISSI

详细参数

型号：
IS45S16400F
制造商：
ISSI
制造商全称：
Integrated Silicon Solution, Inc
功能描述：
1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks(64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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更多IS45S16400F供应商更新时间2025-12-14 8:31:00

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