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IS45S16100E	文件：1.61909 Mbytes Page：82 Pages	512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：1.61909 Mbytes 页数：82 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S16100E-6TLA1	文件：1.61909 Mbytes Page：82 Pages	512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：1.61909 Mbytes 页数：82 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S16100E-7BLA1	文件：1.61909 Mbytes Page：82 Pages	512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：1.61909 Mbytes 页数：82 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S16100E-7BLA2	文件：1.61909 Mbytes Page：82 Pages	512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：1.61909 Mbytes 页数：82 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS45S16100E	文件：300 bytes Page：1 Pages	SDR SDRAM ·Synchronous, with 3.3V power supply\n·LVTTL interface\n·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)\n·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave\n·Self refresh and Auto Refresh modes\n·Random column address every clock cycle\n·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)\n·Burst read/write	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S16100E-7BLA1-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：60-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS45S16100E-7TLA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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详细参数

型号：
IS45S16100E
制造商：
ISSI
制造商全称：
Integrated Silicon Solution, Inc
功能描述：
512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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更多IS45S16100E供应商更新时间2025-12-13 8:31:00

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