512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

文件：1.61909 Mbytes 页数：82 Pages

ISSI

矽成半导体

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SDR SDRAM

·Synchronous, with 3.3V power supply\n·LVTTL interface\n·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)\n·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave\n·Self refresh and Auto Refresh modes\n·Random column address every clock cycle\n·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)\n·Burst read/write

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Package：60-TFBGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc