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IS45S16400E	文件：849.4 Kbytes Page：55 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：849.4 Kbytes 页数：55 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S16400E-6TLA1	文件：849.4 Kbytes Page：55 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：849.4 Kbytes 页数：55 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S16400E-7TLA1	文件：849.4 Kbytes Page：55 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：849.4 Kbytes 页数：55 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S16400E-7TLA2	文件：849.4 Kbytes Page：55 Pages	1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM 文件：849.4 Kbytes 页数：55 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S16400E	文件：300 bytes Page：1 Pages	SDR SDRAM ·Synchronous, with 3.3V power supply\n·LVTTL interface\n·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)\n·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave\n·Self refresh and Auto Refresh modes\n·Random column address every clock cycle\n·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)\n·Burst read/write	ISSI 矽成半导体	ISSI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IS45S16400E供应商更新时间2026-1-28 14:32:00