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IS45S32200E-6BLA1	文件：981.35 Kbytes Page：59 Pages	512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM OVERVIEW ISSIs 64Mb Synchronous DRAM IS42/45S32200E is organized as 524,288 bits x 32-bit x 4-bank for improved performance. The synchronous DRAMs achieve high speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. GENERAL DES 文件：981.35 Kbytes 页数：59 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S32200E-6BLA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：90-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS45S32200E-6BLA1-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：90-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS45S32400F-7TLA2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP86	ISSI 矽成半导体上传：深圳市粤骏腾电子科技有限公司	ISSI
IS45VM16320D-75BLA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	ISSI 矽成半导体上传：深圳德田科技有限公司	ISSI

产品属性

产品编号：
IS45S32200E-6BLA1
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM
存储容量：
64Mb（2M x 32）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
90-TFBGA
供应商器件封装：
90-TFBGA（8x13）
描述：
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA

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