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IS43TR16256BL中文资料1.35V DDR3L SDRAM数据手册ISSI规格书
IS43TR16256BL规格书详情
描述 Description
·Bidirectional differential data strobe
·Data masking per byte on Write commands
·Programmable burst length of 4 or 8
·Programmable CAS Latency
·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes
·OCD (Driver Adjustment)
·ODT (On Die Termination) supported
·Write Leveling
·Long-term support
技术参数
- 产品编号：
IS43TR16256BL-107MBLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - DDR3L
- 存储容量：
4Gb（256M x 16）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
15ns
- 电压 - 供电：
1.283V ~ 1.45V
- 工作温度：
-40°C ~ 95°C（TC）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
96-TFBGA
- 供应商器件封装：
96-TWBGA（9x13）
- 描述：
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美国芯成) |
24+ |
BGA96 |
7350 |
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ISSI |
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BGA96 |
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ISSI |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
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ISSI |
23+ |
BGA |
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ISSI存储芯片在售 |
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ISSI/芯成 |
2450+ |
BGA96 |
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ISSI, Integrated Silicon Solut |
/ROHS.original |
96-TWBGA(9x13) |
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﹤原装元器件﹥现货特价/供应元器件代理经销。欢迎咨 |
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INTEGRATEDSILICONSOLUTION |
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ISSI |
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BGA96 |
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全新原装正品,现货销售 |
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ISSI |
原厂封装 |
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原装进口公司现货假一赔百 |
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ISSI |
24+ |
BGA96 |
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