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IS43TR16128B中文资料1.5V DDR3 SDRAM数据手册ISSI规格书
IS43TR16128B规格书详情
描述 Description
·Bidirectional differential data strobe
·Data masking per byte on Write commands
·Programmable burst length of 4 or 8
·Programmable CAS Latency
·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes
·OCD (Driver Adjustment)
·ODT (On Die Termination) supported
·Write Leveling
·Long-term support
技术参数
- 产品编号：
IS43TR16128B-093NBLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 系列：
Automotive, AEC-Q100
- 包装：
散装
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - DDR3
- 存储容量：
2Gb（128M x 16）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
15ns
- 电压 - 供电：
1.425V ~ 1.575V
- 工作温度：
-40°C ~ 95°C（TC）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
96-TFBGA
- 供应商器件封装：
96-TWBGA（9x13）
- 描述：
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
BGA-96 |
20000 |
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询价 | ||
ISSI |
24+ |
TWBGA-96 |
9600 |
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询价 | ||
ISSI, Integrated Silicon Solut |
21+ |
BGA |
1000 |
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询价 | ||
ISSI |
24+ |
BGA |
30000 |
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询价 | ||
ISSI |
24+ |
NA |
54431 |
询价 | |||
Integrated Silicon |
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FBGA96 |
10000 |
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ISSI |
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BGA96 |
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ISSI |
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BGA96 |
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询价 | ||
ISSI |
23+ |
BGA |
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ISSI存储芯片在售 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
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BGA-96 |
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