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IS42VM16800G	文件：470.82 Kbytes Page：33 Pages	Auto refresh and self refresh 文件：470.82 Kbytes 页数：33 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42VM16800G-6BLI	文件：470.82 Kbytes Page：33 Pages	2M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM 文件：470.82 Kbytes 页数：33 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42VM16800G-75BI	文件：470.82 Kbytes Page：33 Pages	2M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM 文件：470.82 Kbytes 页数：33 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42VM16800G-75BLI	文件：470.82 Kbytes Page：33 Pages	2M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM 文件：470.82 Kbytes 页数：33 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42VM16800G-6BL	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS42VM16800G-6BLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：54-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS42VM16800G-6BL-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：54-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

技术参数

存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - 移动
存储容量：
128Mb （8M x 16）
时钟频率：
166MHz
访问时间：
5.5ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
54-TFBGA
供应商器件封装：
54-TFBGA（8x8）

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