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IS42SM32160E-6BLI

4M x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

文件:885.22 Kbytes 页数:33 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42SM32160E-75BLI

4M x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

文件:885.22 Kbytes 页数:33 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42SM32200G

512K x 32Bits x 4Banks Low Power Synchronous DRAM

文件:267.29 Kbytes 页数:27 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42SM32200K-6BLI

512K x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

文件:540.96 Kbytes 页数:33 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42SM32200K-75BLI

512K x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

文件:540.96 Kbytes 页数:33 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42SM32400F

Auto refresh and self refresh

文件:451.01 Kbytes 页数:27 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42SM32400F-75BLI

Auto refresh and self refresh

文件:451.01 Kbytes 页数:27 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42SM32400G-6BLI

1M x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

文件:545.49 Kbytes 页数:33 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42SM32400G-75BI

1M x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

文件:545.49 Kbytes 页数:33 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42SM32400G-75BLI

1M x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

文件:545.49 Kbytes 页数:33 Pages

ISSI

矽成半导体

技术参数

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - 移动

  • 存储容量:

    128Mb (8M x 16)

  • 时钟频率:

    133MHz

  • 访问时间:

    5.4ns

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    54-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    54-TFBGA(8x8)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ISSI
09+
BGA
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全新原装进口自己库存优势
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2
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SDRAMMOBILE/4MX32SD/TSOP
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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更多IS42SM供应商 更新时间2026-1-17 20:25:00