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IS42S32800G

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

文件:1.00949 Mbytes 页数:58 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S32800G-6B

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

文件:1.00949 Mbytes 页数:58 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S32800G-6BI

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

文件:1.00949 Mbytes 页数:58 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S32800G-6BL

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

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ISSI

矽成半导体

IS42S32800G-6BLI

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

文件:1.00949 Mbytes 页数:58 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S32800G-7B

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

文件:1.00949 Mbytes 页数:58 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S32800G-7BI

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

文件:1.00949 Mbytes 页数:58 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S32800G-7BL

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

文件:1.00949 Mbytes 页数:58 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S32800G-7BLI

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

文件:1.00949 Mbytes 页数:58 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S32800G-6BLI

动态随机存储器(DRAM)

Integrated Silicon Solution

Integrated Silicon Solution

详细参数

  • 型号:

    IS42S32800G

  • 功能描述:

    动态随机存取存储器 256M 8Mx32 166Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v

  • RoHS:

  • 制造商:

    ISSI

  • 数据总线宽度:

    16 bit

  • 组织:

    1 M x 16

  • 封装/箱体:

    SOJ-42

  • 存储容量:

    16 MB

  • 访问时间:

    50 ns

  • 电源电压-最大:

    7 V

  • 电源电压-最小:

    - 1 V

  • 最大工作电流:

    90 mA

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 封装:

    Tube

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更多IS42S32800G供应商 更新时间2026-2-10 10:20:00