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IS42S32800G-6BLI

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

文件:1.00949 Mbytes 页数:58 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S32800G-6BLI

Package:90-TFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32800G-6BLI-TR

Package:90-TFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32800G-6B

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

文件:1.00949 Mbytes 页数:58 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S32800G-6BI

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

文件:1.00949 Mbytes 页数:58 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S32800G-6BL

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

文件:1.00949 Mbytes 页数:58 Pages

ISSI

矽成半导体

产品属性

  • 产品编号:

    IS42S32800G-6BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM

  • 存储容量:

    256Mb(8M x 32)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    90-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    90-TFBGA(8x13)

  • 描述:

    IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IS42S32800G-6BLI供应商 更新时间2022-7-14 15:13:00