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IS42S32200L	文件：1.36971 Mbytes Page：59 Pages	512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IS42S32200L-5TL-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S32200L-6B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：90-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S32200L-6BI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：90-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
42S32200	文件：982.93 Kbytes Page：55 Pages	512KBitsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM OVERVIEW ISSIs64MbSynchronousDRAMIS42S32200isorganizedas524,288bitsx32-bitx4-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. GENERALDESCR	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IC42S32200	文件：900.01 Kbytes Page：62 Pages	512KWordsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM DESCRIPTION TheICSIIC42S32200andIC42S32200Lisahigh-speedCMOSconfiguredasaquad512Kx32DRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK). Eachofthe512Kx32bitbanksisorganizedas2048rowsby256columnsby32bits.Rea	ICST Integrated Circuit Systems	ICST
IC42S32200L	文件：900.01 Kbytes Page：62 Pages	512KWordsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM DESCRIPTION TheICSIIC42S32200andIC42S32200Lisahigh-speedCMOSconfiguredasaquad512Kx32DRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK). Eachofthe512Kx32bitbanksisorganizedas2048rowsby256columnsby32bits.Rea	ICST Integrated Circuit Systems	ICST
IS42S32200	文件：982.93 Kbytes Page：55 Pages	512KBitsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM OVERVIEW ISSIs64MbSynchronousDRAMIS42S32200isorganizedas524,288bitsx32-bitx4-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. GENERALDESCR	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS42S32200B	文件：537.88 Kbytes Page：56 Pages	512KBitsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas2,048rowsby256columns	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS42S32200E	文件：981.35 Kbytes Page：59 Pages	512KBitsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM OVERVIEW ISSIs64MbSynchronousDRAMIS42/45S32200Eisorganizedas524,288bitsx32-bitx4-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehighspeeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. GENERALDES	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI

详细参数

型号：
IS42S32200L
功能描述：
动态随机存取存储器 64M(2Mx32) 200MHz S动态随机存取存储器, 3.3v
RoHS：
否
制造商：
ISSI
数据总线宽度：
16 bit
组织：
1 M x 16
封装/箱体：
SOJ-42
存储容量：
16 MB
访问时间：
50 ns
电源电压-最大：
7 V
电源电压-最小：
- 1 V
最大工作电流：
90 mA
最大工作温度：
+ 85 C
封装：
Tube

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