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DESCRIPTION
The ISSI IS41LV16256B is 262,144 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memory. Both products offer accelerated cycle access EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 512 random accesses within a single row with access cycle time as short as 10ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41LV16256B ideal for use in 16 and 32-bit wide data bus systems.
FEATURES
• TTL compatible inputs and outputs
• Refresh Interval: 512 cycles/8 ms
• Refresh Mode : RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden
• JEDEC standard pinout
• Single power supply: 3.3V ± 10
• Byte Write and Byte Read operation via two CAS
• Lead-free available
产品属性
- 型号：
IS41LV16256B-35T
- 功能描述：
动态随机存取存储器 4M 256Kx16 35ns
- RoHS：
否
- 制造商：
ISSI
- 数据总线宽度：
16 bit
- 组织：
1 M x 16
- 封装/箱体：
SOJ-42
- 存储容量：
16 MB
- 访问时间：
50 ns
- 电源电压-最大：
7 V
- 电源电压-最小：
- 1 V
- 最大工作电流：
90 mA
- 最大工作温度：
+ 85 C
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
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NA/ |
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ISSI |
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