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IS41LV16256集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

IS41LV16256
厂商型号

IS41LV16256

参数属性

IS41LV16256 封装/外壳为44-TSOP(0.400",10.16mm 宽),40 引线;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 4MBIT PARALLEL 40TSOP

功能描述

256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

封装外壳

44-TSOP(0.400",10.16mm 宽),40 引线

文件大小

215.66 Kbytes

页面数量

20

生产厂商

ICSI

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数据手册

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更新时间

2025-8-6 19:43:00

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IS41LV16256规格书详情

DESCRIPTION

The ICSI IS41C16256 and IS41LV16256 is a 262,144 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. The IS41C16256 offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 512 random accesses within a single row with access cycle time as short as 10 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41C16256 ideal for use in 16-, 32-bit wide data bus systems.

产品属性

  • 产品编号:

    IS41LV16256C-35TLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    DRAM - EDO

  • 存储容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 宽),40 引线

  • 供应商器件封装:

    40-TSOP

  • 描述:

    IC DRAM 4MBIT PARALLEL 40TSOP

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