IS41LV16105B-60T集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	IS41LV16105B-60T
参数属性	IS41LV16105B-60T 封装/外壳为44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II
功能描述	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
封装外壳	44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
文件大小	131.5 Kbytes
页面数量	20 页
生产厂商	Integrated Silicon Solution Inc
企业简称	ISSI【北京矽成】
中文名称	北京矽成半导体有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-8-2 19:12:00
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IS41LV16105B-60T规格书详情

DESCRIPTION

The ISSI IS41LV16105B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. Fast Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41LV16105B ideal for use in 16-, 32-bit wide data bus systems.

FEATURES

• TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O

• Refresh Interval:

— 1,024 cycles/16 ms

• Refresh Mode:

— RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

• JEDEC standard pinout

• Single power supply: 3.3V ± 10

• Byte Write and Byte Read operation via two CAS

• Extended Temperature Range: -30oC to +85oC

• Industrial Temperature Range: -40oC to +85oC

• Lead-free available

产品属性

产品编号：
IS41LV16105B-60TLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
DRAM - FP
存储容量：
16Mb（1M x 16）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP II
描述：
IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II

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