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IS41LV16256B-35T	文件：145.87 Kbytes Page：22 Pages	256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION TheISSIIS41LV16256Bis262,144x16-bithigh-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemory.BothproductsofferacceleratedcycleaccessEDOPageMode.EDOPageModeallows512randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletimeasshortas10nsper16-bitword.TheByteWrit	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS41LV16256B-35TL	文件：145.87 Kbytes Page：22 Pages	256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION TheISSIIS41LV16256Bis262,144x16-bithigh-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemory.BothproductsofferacceleratedcycleaccessEDOPageMode.EDOPageModeallows512randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletimeasshortas10nsper16-bitword.TheByteWrit	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
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IS41LV16256B-35KL	文件：145.87 Kbytes Page：22 Pages	256Kx16(4-MBIT)DYNAMICRAMWITHEDOPAGEMODE DESCRIPTION TheISSIIS41LV16256Bis262,144x16-bithigh-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemory.BothproductsofferacceleratedcycleaccessEDOPageMode.EDOPageModeallows512randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletimeasshortas10nsper16-bitword.TheByteWrit	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI

详细参数

型号：
IS41LV16256B-35T
功能描述：
动态随机存取存储器 4M 256Kx16 35ns
RoHS：
否
制造商：
ISSI
数据总线宽度：
16 bit
组织：
1 M x 16
封装/箱体：
SOJ-42
存储容量：
16 MB
访问时间：
50 ns
电源电压-最大：
7 V
电源电压-最小：
- 1 V
最大工作电流：
90 mA
最大工作温度：
+ 85 C
封装：
Tube

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