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IS41LV16100B-50KL	文件：143.69 Kbytes Page：22 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION TheISSIIS41LV16100B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word 文件：143.69 Kbytes 页数：22 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41LV16100B-50KLI	文件：143.69 Kbytes Page：22 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION TheISSIIS41LV16100B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word 文件：143.69 Kbytes 页数：22 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41LV16100B-50KL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS41LV16100B-50KLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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产品属性

产品编号：
IS41LV16100B-50KL
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
DRAM - EDO
存储容量：
16Mb（1M x 16）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
42-SOJ
描述：
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

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