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IRS21844PBF	文件：1.07043 Mbytes Page：23 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IRS2181/IRS21814 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with stan 文件：1.07043 Mbytes 页数：23 Pages	IRF	IRF
IRS21844PBF	文件：518.88 Kbytes Page：26 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER Description The IRS2184/IRS21844 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standar 文件：518.88 Kbytes 页数：26 Pages	IRF	IRF
IRS21844PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：14-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP	Infineon 英飞凌	Infineon
IRS21844S	文件：518.88 Kbytes Page：26 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER Description The IRS2184/IRS21844 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standar 文件：518.88 Kbytes 页数：26 Pages	IRF	IRF
IRS21844S	文件：1.07043 Mbytes Page：23 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IRS2181/IRS21814 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with stan 文件：1.07043 Mbytes 页数：23 Pages	IRF	IRF
IRS21844S	文件：528.07 Kbytes Page：30 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER 文件：528.07 Kbytes 页数：30 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRS21844PBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.9A，2.3A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
40ns，20ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
14-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
14-DIP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP

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