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IRS2181STRPBF

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IRS2181/IRS21814 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with stan

文件:1.07043 Mbytes 页数:23 Pages

IRF

IRS2181STRPBF

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon

英飞凌

ISG2181

IGBT

DESCRIPTION · Lower on voltage drop (VCE(sat)) · Very soft ultra fast recovery antiparallel diode APPLICATIONS · High frequency motor controls · SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies · Motor drives

文件:389.62 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

K2181

boxes and ancillary products

文件:3.51246 Mbytes 页数:5 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

K2181WHI

boxes and ancillary products

文件:3.51246 Mbytes 页数:5 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

产品属性

  • 产品编号:

    IRS2181STRPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.9A,2.3A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    40ns,20ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOP-8
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更多IRS2181STR供应商 更新时间2025-12-23 14:08:00