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IRS2181S	文件：1.07043 Mbytes Page：23 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IRS2181/IRS21814 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with stan 文件：1.07043 Mbytes 页数：23 Pages	IRF	IRF
IRS2181SPBF	文件：1.07043 Mbytes Page：23 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IRS2181/IRS21814 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with stan 文件：1.07043 Mbytes 页数：23 Pages	IRF	IRF
IRS2181STRPBF	文件：1.07043 Mbytes Page：23 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IRS2181/IRS21814 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with stan 文件：1.07043 Mbytes 页数：23 Pages	IRF	IRF
IRS2181S	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC 600 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1.9 A 拉电流和 2.3 A 灌电流，采用 8 引脚 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 PDIP，14 引脚 SOIC、14引脚 PDIP 和 14 引脚 MLPQ4X4 封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 容许负瞬态电压，不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动电源范围：10 V 至 20V\n• 双通道欠压锁定\n• 3.3V 和 5 V 输入逻辑兼容\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移\n• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性\n• 输出拉/灌电流能力为 1.4 A/1.8 A\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRS2181SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRS2181STRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Product Status：
active and preferred/active and preferred
Voltage Class：
600 V
Output Current Source min：
1.4 A
Output Current Source：
1.9 A
Output Current Sink min：
1.8 A
Output Current Sink：
2.3 A
Channels：
2
Configuration：
High-side and low-side
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
IGBT/MOSFET
Package name：
SOIC 8N/SOIC 8N
UVLO Input Off：
8.2 V
UVLO Output Off：
8.2 V
Turn On Propagation Delay max：
270 ns
Turn On Propagation Delay：
180 ns
Turn Off Propagation Delay max：
330 ns
Turn Off Propagation Delay：
220 ns
Input Vcc min：
10 V
Input Vcc max：
20 V
Output Vbs min：
10 V
Output Vbs max：
20 V
Rise Time max：
60 ns
Rise Time：
40 ns
Fall Time max：
35 ns
Fall Time：
20 ns
UVLO Input On：
8.9 V
UVLO Output On：
8.9 V

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