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IRS21814	文件：1.07043 Mbytes Page：23 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IRS2181/IRS21814 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with stan 文件：1.07043 Mbytes 页数：23 Pages	IRF	IRF
IRS21814	文件：888.21 Kbytes Page：21 Pages	HIGH- AND LOW-SIDE DRIVER 文件：888.21 Kbytes 页数：21 Pages	IRF	IRF
IRS21814	文件：300 bytes Page：1 Pages	电平移位门极驱动 600 V High and Low Side Driver IC with typical 1.9 A source and 2.3 A sink currents in 14 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 14 Lead SOIC, 8 Lead SOIC, 8 Lead PDIP, and 14 Lead MLPQ4x4. • Floating channel designed for bootstrap operation\n• Fully operational to +600 V\n• Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune\n• Gate drive supply range from 10 V to 20 V\n• Undervoltage lockout for both channels\n• 3.3 V and 5 V input logic compatible\n• Matched propagation delay for b;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRS21814PBF	文件：1.07043 Mbytes Page：23 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IRS2181/IRS21814 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with stan 文件：1.07043 Mbytes 页数：23 Pages	IRF	IRF
IRS21814S	文件：1.07043 Mbytes Page：23 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IRS2181/IRS21814 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with stan 文件：1.07043 Mbytes 页数：23 Pages	IRF	IRF
IRS21814SPBF	文件：1.07043 Mbytes Page：23 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IRS2181/IRS21814 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with stan 文件：1.07043 Mbytes 页数：23 Pages	IRF	IRF
IRS21814STRPBF	文件：1.07043 Mbytes Page：23 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IRS2181/IRS21814 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with stan 文件：1.07043 Mbytes 页数：23 Pages	IRF	IRF
IRS21814MPBF	文件：779.17 Kbytes Page：21 Pages	HIGH- AND LOW-SIDE DRIVER 文件：779.17 Kbytes 页数：21 Pages	IRF	IRF
IRS21814MPBF	文件：779.17 Kbytes Page：21 Pages	HIGH- AND LOW-SIDE DRIVER 文件：779.17 Kbytes 页数：21 Pages	IRF	IRF
IRS21814MPBF	文件：888.21 Kbytes Page：21 Pages	HIGH- AND LOW-SIDE DRIVER 文件：888.21 Kbytes 页数：21 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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技术参数

Product Status：
active and preferred
Voltage Class：
600 V
Output Current Source min：
1.4 A
Output Current Source：
1.9 A
Output Current Sink min：
1.8 A
Output Current Sink：
2.3 A
Channels：
2
Configuration：
High-side and low-side
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
IGBT/MOSFET
Package name：
PDIP14
UVLO Input Off：
8.2 V
UVLO Output Off：
8.2 V
Turn On Propagation Delay max：
270 ns
Turn On Propagation Delay：
180 ns
Turn Off Propagation Delay max：
330 ns
Turn Off Propagation Delay：
220 ns
Input Vcc min：
10 V
Input Vcc max：
20 V
Output Vbs min：
10 V
Output Vbs max：
20 V
Rise Time max：
60 ns
Rise Time：
40 ns
Fall Time max：
35 ns
Fall Time：
20 ns
UVLO Input On：
8.9 V
UVLO Output On：
8.9 V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	IRS21814	IR	23+	DIP14	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRS21814	IR	23+	DIP14	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IRS21814	IR	21+	DIP14	10000	原装现货假一罚十	询价
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深圳市卓越微芯电子有限公司	IRS21814S	IR	25+	SOP	419	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价

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技术参数

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