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IRS2106PBF	文件：543.96 Kbytes Page：25 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IRS2106/IRS21064 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Features • Floating channel designed for boo 文件：543.96 Kbytes 页数：25 Pages	IRF	IRF
IRS2106S	文件：506.2 Kbytes Page：25 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IRS2106/IRS21064 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high- and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CM 文件：506.2 Kbytes 页数：25 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRS2106SPBF	文件：543.96 Kbytes Page：25 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IRS2106/IRS21064 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Features • Floating channel designed for boo 文件：543.96 Kbytes 页数：25 Pages	IRF	IRF
IRS2106STRPBF	文件：543.96 Kbytes Page：25 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IRS2106/IRS21064 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Features • Floating channel designed for boo 文件：543.96 Kbytes 页数：25 Pages	IRF	IRF
IRS2106_15	文件：1.38432 Mbytes Page：25 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER 文件：1.38432 Mbytes 页数：25 Pages	IRF	IRF
IRS210614S	文件：304.51 Kbytes Page：15 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER 文件：304.51 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRS210614S	文件：304.51 Kbytes Page：15 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER 文件：304.51 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRS210614SPBF	文件：304.51 Kbytes Page：15 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER 文件：304.51 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRS21064	文件：300 bytes Page：1 Pages	电平移位门极驱动 600 V High and Low Side Driver IC with typical 0.29 A source and 0.6 A sink currents in 14 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 14 Lead SOIC, 8 Lead SOIC, and 8 Lead PDIP. • Floating gate driver designed for bootstrap operation\n• Fully operational to +600 V\n• Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune\n• Gate drive supply range from 10 V to 20 V\n• Undervoltage lockout for both channels\n• 3.3 V, 5 V, and 15 V logic input compatible\n• Matched propagation ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRS21064S	文件：300 bytes Page：1 Pages	电平移位门极驱动 600 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 0.29 A 拉电流和 0.6 A 灌电流，采用 14 引脚 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 14 引脚 PDIP、8 引脚 SOIC 和 8 引脚 PDIP 封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动栅极驱动器\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 容许负瞬态电压，不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动电源范围：10 V 至 20V\n• 双通道欠压锁定\n• 3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移\n• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性\n• 输出与输入同相\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon

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技术参数

Product Status：
active and preferred
Voltage Class：
600 V
Output Current Source min：
0.13 A
Output Current Source：
0.29 A
Output Current Sink min：
0.27 A
Output Current Sink：
0.6 A
Channels：
2
Configuration：
High-side and low-side
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
IGBT/MOSFET
Package name：
PDIP8
UVLO Input Off：
8.2 V
UVLO Output Off：
8.2 V
Turn On Propagation Delay max：
300 ns
Turn On Propagation Delay：
220 ns
Turn Off Propagation Delay max：
280 ns
Turn Off Propagation Delay：
200 ns
Input Vcc min：
10 V
Input Vcc max：
20 V
Output Vbs min：
10 V
Output Vbs max：
20 V
Rise Time max：
220 ns
Rise Time：
100 ns
Fall Time max：
80 ns
Fall Time：
35 ns
UVLO Input On：
8.9 V
UVLO Output On：
8.9 V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	IRS2106	IR	05/06+	SOP8	117	全新原装100真实现货供应	询价
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更多IRS2106供应商更新时间2025-12-24 17:02:00

技术参数

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