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BC638	文件：221.74 Kbytes Page：2 Pages	PNPTypePlasticEncapsulateTransistors FEATURE PowerDissipation:PCM:0.83mW(Tamb=25°C)	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
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BC638	文件：367.77 Kbytes Page：2 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •ThroughHolePackage •Capableof830mWattsofPowerDissipation •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensit	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
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BCL-638-WP-PL	文件：178.47 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor6AWGWire,StudSize3/8,Plated,WidePad	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BD638	文件：246.29 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·DCCurrentGain- :hFE=40(Min.)@IC=-25mA ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-80V(Min.) ·ComplementtoTypeBD637 APPLICATIONS ·Designedforamplifierandswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BVND-M638GT	文件：122.26 Kbytes Page：2 Pages	EinteiligeUniversalarmaturgerade,metrischOne-pieceUniversalConnectionstraight,metric	ABB ABB集团ABB（中国）有限公司	ABB
C638	文件：5.29445 Mbytes Page：66 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C638	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CPL638	文件：348.47 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
CTN638	文件：81.67 Kbytes Page：4 Pages	ComplementaryTransistorsinPlasticPackageforDriverStageofAudioAmplifier CTN635,637,639NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS CTN636,638,640PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
DC-638	文件：134.3 Kbytes Page：1 Pages	3.0WATTSINGLE&DUALOUTPUTDC-DCCONVERTERS	INTRONICS Intronics Power, Inc.	INTRONICS
FAJAE-638	文件：117.17 Kbytes Page：1 Pages	FRJAEASSEMBLY,6POSITIONAND8POSITION	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
FDC638	文件：240.76 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformanceThesedevicesarewellsui	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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