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IRLU3110Z	文件：247.84 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：247.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRLU3110ZPBF	文件：735.87 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：735.87 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLU3110ZPBF	文件：322.96 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：322.96 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLU3110Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 I-Pak 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 逻辑电平;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRLU3110ZPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
IPAK
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
14 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
16 mΩ
ID @25°C max：
63 A
QG typ @4.5V：
34 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2.5 V
VGS(th)：
1.75 V
Technology：
IR MOSFET™

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