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IRLR3717	文件：268.24 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power ● High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom 文件：268.24 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR3717	文件：335.21 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Fast Switching • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤4mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：335.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRLR3717	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D-Pak 封装的 20V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRLR3717PBF	文件：263.12 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power ● High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom 文件：263.12 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR3717PBF	文件：272.08 Kbytes Page：12 Pages	Ultra-Low Gate Impedance 文件：272.08 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRLR3717PBF_15	文件：272.08 Kbytes Page：12 Pages	Ultra-Low Gate Impedance 文件：272.08 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
DPAK (TO-252)
VDS max：
20.0V
RDS (on)(@10V) max：
4.2mΩ
RDS (on) max：
4.2mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
5.7mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
81.0A
ID max：
81.0A
ID (@ TC=25°C) max：
120.0A
Ptot max：
89.0W
QG ：
21.0nC
Mounting ：
SMD
Qgd ：
7.2nC
VGS max：
20.0V
Moisture Sensitivity Level ：
1
RthJC max：
1.69K/W

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