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IRLR3110Z	文件：335.58 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRLR3110Z	文件：1.33205 Mbytes Page：13 Pages	Advanced Process Technology 文件：1.33205 Mbytes 页数：13 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRLR3110ZPBF	文件：841.44 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Super Trench Power MOSFET Features VDS= 100V, ID= 78 A RDS(ON) 文件：841.44 Kbytes 页数：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
IRLR3110ZTRPBF-TP	文件：3.22398 Mbytes Page：5 Pages	丝印：LR3110Z；Package：TO-252；N-Channel MOSFET Application \| « Reverse Battery protection Load switch « Power management « PWM Application 文件：3.22398 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRLR3110ZPBF	文件：1.06088 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：1.06088 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRLR3110ZPBF	文件：735.87 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：735.87 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR3110ZPBF	文件：322.96 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：322.96 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR3110ZPBF	文件：322.96 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：322.96 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR3110ZPBF_09	文件：322.96 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance, 175C Operating Temperature 文件：322.96 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRLR3110ZPBF_15	文件：322.96 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：322.96 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRLR3110ZTRLPBF/IRLR3110ZTRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DPAK/DPAK
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
14 mΩ/14 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
16 mΩ/16 mΩ
ID @25°C max：
63 A/63 A
QG typ @4.5V：
34 nC/34 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V/1 V
VGS(th) max：
2.5 V/2.5 V
VGS(th)：
1.75 V/1.75 V
Technology：
IR MOSFET™/IR MOSFET™

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