IRLR120N中文资料100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装数据手册Infineon规格书
IRLR120N规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 具有业内先进的品质
• 动态的dv/dt额定值
• 快速开关
• 完全雪崩额定值
• 175°C 的工作温度
• 逻辑电平
技术参数
- 制造商编号
：IRLR120N
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IRLR120NTRLPBF/IRLR120NTRPBF
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：DPAK/DPAK
- VDS max
：100 V
- RDS (on) @10V max
：185 mΩ/185 mΩ
- RDS (on) @4.5V max
：265 mΩ/265 mΩ
- ID @25°C max
：10 A/10 A
- QG typ @4.5V
：13.3 nC/13.3 nC
- Polarity
：N
- VGS(th) min
：1 V/1 V
- VGS(th) max
：2 V/2 V
- VGS(th)
：1.5 V/1.5 V
- Technology
：IR MOSFET™/IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
TO-252 |
860000 |
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IR |
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7600 |
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INFINE0N |
21+ |
DPAK (TO-252) |
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IR |
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TO-252 |
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IR |
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NA/ |
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IR |
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IR |
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IR |
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TO-252 |
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