首页 >IRLML6302TRPB>规格书列表
| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO | 
|---|---|---|---|---|
| HEXFET짰 Power MOSFET 文件:285.66 Kbytes 页数:8 Pages | IRF | IRF | ||
| P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件:1.08277 Mbytes 页数:9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
| 采用 Micro 3 封装的 -20V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
| IT6302 Triple Channels DC Power Supply Feature -Independent, fully programmable and electrically isolated outputs -Display & adjust voltage and current settings for all 3 channels -Flexible output configuration: connect CH1 or CH2 channels in parallel -Excellent stability and regulation -LVP (low voltage protection) and OTP (ov 文件:820.2 Kbytes 页数:1 Pages | ITECH 艾德克斯 | ITECH | ||
| The best light source is supported by the best electrode technology 文件:1.12019 Mbytes 页数:7 Pages | HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社 | HAMAMATSU | ||
| P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件:464.68 Kbytes 页数:9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | 
技术参数
- VDS max:-20.0V 
- RDS (on)(@4.5V) max:600.0mΩ 
- RDS (on)(@2.7V) max:900.0mΩ 
- Polarity :P 
- ID (@ TA=25°C) max:-0.78A 
- ID (@ TA=70°C) max:-0.62A 
- Ptot(@ TA=25°C) max:4.3W 
- QG :2.4nC 
- Mounting :SMD 
- Moisture Sensitivity Level :1 
- Qgd :1.0nC 
- Tj max:150.0°C 
- RthJA max:230.0K/W 
- VGS max:12.0V 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IR | 13+ | SOT-23 | 100000 | 深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,公司现货供应IRLML6302TRPBF
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| INFINEON | 22+ | ?SOT-23 | 111000 | 原装正品可支持验货,欢迎咨询 | 询价 | ||
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