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IRLML5203	文件：137.34 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=-30V) Description These P-channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. A therma 文件：137.34 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRLML5203	文件：473.31 Kbytes Page：8 Pages	丝印：1H-MK；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS General Description The IRLML5203 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. 文件：473.31 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRLML5203	文件：516.35 Kbytes Page：5 Pages	Plastic-Encapsulate Mosfets 文件：516.35 Kbytes 页数：5 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
IRLML5203	文件：2.09412 Mbytes Page：8 Pages	丝印：1HMK；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 文件：2.09412 Mbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRLML5203	文件：300 bytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulate Mosfets	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
IRLML5203	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V P-Channel MOSFET	Plingsemic 鹏领半导体	Plingsemic
IRLML5203	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Ch MOSFET	JGSEMI 台湾金锆	JGSEMI
IRLML5203GPBF	文件：199.79 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：199.79 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRLML5203GPBF	文件：199.79 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：199.79 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRLML5203GTRPBF	文件：199.79 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：199.79 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRLML5203TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SOT23
VDS max：
-30 V
RDS (on) @10V max：
98 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
165 mΩ
ID @25°C max：
-3 A
QG typ @10V：
9.5 nC
Special Features：
Small Power
Polarity：
P
VGS(th) min：
-1 V
VGS(th) max：
-2.5 V
VGS(th)：
-1.75 V
Technology：
IR MOSFET™

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