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IRLML2803	文件：191.69 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.25ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®powerMOSFETsarewellknownfor,provid	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2803	文件：449.62 Kbytes Page：7 Pages	Generation VTechnology UltraLowOn- Resistance Features VDS(V)=30V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRLML2803	文件：377.58 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRLML2803	文件：81.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2803PBF	文件：296.69 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2803TR	文件：449.62 Kbytes Page：7 Pages	Marking：BBPKU；Package：SOT-23；Generation VTechnology UltraLowOn- Resistance Features VDS(V)=30V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRLML2803TR	文件：377.58 Kbytes Page：7 Pages	Marking：BBPKU；Package：SOT-23；MOSFET Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRLML2803TRPBF	文件：230.15 Kbytes Page：8 Pages	Generation V Technology, Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2803GPBF	文件：247.07 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2803GPBF_11	文件：230.42 Kbytes Page：8 Pages	Generation V Technology, Ultra Low On-Resistance, N-Channel MOSFET	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRLML2803
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET N LOGIC SOT-23

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