Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.25ohm)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFETs are well known for, provid

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IRF

Generation VTechnology UltraLowOn- Resistance

Features VDS (V) = 30V RDS(ON)

文件：449.62 Kbytes 页数：7 Pages

UMW

友台半导体

MOSFET

Features VDS (V) = 30V RDS(ON)

文件：377.58 Kbytes 页数：7 Pages

EVVOSEMI

翊欧

HEXFET Power MOSFET

文件：81.91 Kbytes 页数：8 Pages

IRF

采用 Micro 3 封装的 30V 单 N 沟道功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

Infineon

英飞凌

HEXFET Power MOSFET

文件：296.69 Kbytes 页数：9 Pages

IRF

丝印：BBPKU；Package：SOT-23；Generation VTechnology UltraLowOn- Resistance

Features VDS (V) = 30V RDS(ON)

文件：449.62 Kbytes 页数：7 Pages

UMW

友台半导体

丝印：BBPKU；Package：SOT-23；MOSFET

Features VDS (V) = 30V RDS(ON)

文件：377.58 Kbytes 页数：7 Pages

EVVOSEMI

翊欧

Generation V Technology, Ultra Low On-Resistance

文件：230.15 Kbytes 页数：8 Pages

IRF

HEXFET Power MOSFET

文件：247.07 Kbytes 页数：8 Pages

IRF