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IRLML2502GPBF中文资料采用无卤素 Micro3 封装的 20V 单 N 通道无铅 HEXFET 功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRLML2502GPBF

功能描述

采用无卤素 Micro3 封装的 20V 单 N 通道无铅 HEXFET 功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-1 17:46:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRLML2502GPBF

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :1.25 W

  • Qgd

    :1.7 nC

  • QG(typ @4.5V)

    :8 nC

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :45 mΩ

  • RthJAmax

    :100 K/W

  • VDSmax

    :20 V

  • VGS(th)

    :0.9 V

  • VGSmax

    :12 V

  • Mounting

    :SMD

  • Package

    :SOT-23

  • Polarity

    :N

  • Moisture Sensitivity Level

    :1

  • Special Features

    :Small Power

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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