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IRLML2060数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRLML2060

功能描述

60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 Micro 3封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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IRLML2060规格书详情

特性 Features


优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Product qualification according to JEDEC standard
• Logic level : Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level), and capable of being driven at 4.5V gate-drive voltage
• Industry standard surface-mount package
• Capable of being wave-soldered

技术参数

  • 制造商编号

    :IRLML2060

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRLML2060TRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :SOT23

  • VDS max

    :60 V

  • RDS (on) @10V max

    :480 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :640 mΩ

  • ID @25°C max

    :1.2 A

  • QG typ @4.5V

    :0.67 nC

  • Special Features

    :Small Power

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :1 V

  • VGS(th) max

    :2.5 V

  • VGS(th)

    :1.75 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

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