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IRLML0060	文件：455.27 Kbytes Page：8 Pages	丝印：LBNY0；Package：SOT-23；N-Channel 60 V (D-S) MOSFET Features Industry-standard pinout Compatible with existing Surface Mount Techniques compliant containing no lead, no bromide and no halogen Industrial qualification 文件：455.27 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRLML0060	文件：541.48 Kbytes Page：7 Pages	丝印：1L**；Package：SOT-23；N-Channel MOSFET 文件：541.48 Kbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
IRLML0060	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 SOT-23 封装 \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Logic level : Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level), and capable of being driven at 4.5V gate-drive voltage\n• Industry standard surface-mount package\;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRLML0060PBF	文件：205.37 Kbytes Page：10 Pages	Industry-standard pinout 文件：205.37 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLML0060PBF	文件：205.37 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPower MOSFET Load/ System Switch 文件：205.37 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLML0060PBF_15	文件：205.37 Kbytes Page：10 Pages	Industry-standard pinout 文件：205.37 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLML0060TRPBF	文件：205.37 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPower MOSFET Load/ System Switch 文件：205.37 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLML0060TRPBF	文件：297.47 Kbytes Page：10 Pages	Industry-Standard Pinout 文件：297.47 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRLML0060TRPBF	文件：206.02 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：206.02 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLML0060TRPBF	文件：1.07867 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.07867 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

OPN：
IRLML0060TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SOT23
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
92 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
116 mΩ
ID @25°C max：
2.7 A
QG typ @4.5V：
2.5 nC
Special Features：
Small Power
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2.5 V
VGS(th)：
1.75 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRLML0060供应商更新时间2025-12-12 16:39:00

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