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IRLBA1304	文件：104.06 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：104.06 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLBA1304	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRLBA1304P	文件：107.92 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：107.92 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLBL1304	文件：125.25 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：125.25 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
JMCL1304F-D	文件：324.77 Kbytes Page：7 Pages	Circular Connectors for Solder Terminations Conforming to JIS-C-5432 ◆ FEATURES 1. Miniature and High Density The contacts available in this series are #20 and #16 2. 5 Keys to Prevent Mismating The shell has five keys. Alternate insert positions eliminate the connector mismating if more than one connector with the same size and arrangement is to be used in a 文件：324.77 Kbytes 页数：7 Pages	DDK	DDK
JMCL1304FD-D	文件：324.77 Kbytes Page：7 Pages	Circular Connectors for Solder Terminations Conforming to JIS-C-5432 ◆ FEATURES 1. Miniature and High Density The contacts available in this series are #20 and #16 2. 5 Keys to Prevent Mismating The shell has five keys. Alternate insert positions eliminate the connector mismating if more than one connector with the same size and arrangement is to be used in a 文件：324.77 Kbytes 页数：7 Pages	DDK	DDK

详细参数

型号：
IRLBA1304
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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