| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO 220 |
161356 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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IRTO-220 |
5000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
3330 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesSuper220?3 (Straight Leads) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
6200 |
17+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-TO-220AB |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IR/VISHAYTO-TO-220AB |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
80 |
15+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IRTO-220 |
28948 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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IRLBA1304图片
IRLBA1304中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLBA1304功能描述:MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLBA1304/P功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 185A I(D) | TO-220VAR
IRLBA1304P功能描述:MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLBA1304PPBF功能描述:MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
