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IRL8113S数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRL8113S

功能描述

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2Pak 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 15:39:00

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IRL8113S规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS
• 经过充分验证的雪崩电压和电流
• 超低的栅极阻抗
• 逻辑电平

技术参数

  • 制造商编号

    :IRL8113S

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :30.0V

  • RDS (on) max

    :6.0mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :6.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :7.1mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TC=100°C) max

    :74.0A

  • ID  max

    :74.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :105.0A

  • Ptot max

    :110.0W

  • IDpuls max

    :420.0A

  • VGS(th) min max

    :1.35V 2.25V

  • QG 

    :23.0nC 

  • RthJA max

    :62.0K/W

  • Operating Temperature min max

    :-55.0°C 175.0°C

  • Pin Count 

    :3.0Pins 

  • Mounting 

    :SMD

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd 

    :8.3nC 

  • RthJC max

    :1.32K/W

  • VGS max

    :20.0V

  • Tj max

    :175.0°C

  • Rth 

    :1.32K/W 

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