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IRL60B216	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
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技术参数

OPN：
IRL60B216
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
1.9 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
2.2 mΩ
ID @25°C max：
305 A
QG typ @4.5V：
172 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2.4 V
VGS(th)：
1.7 V
Technology：
StrongIRFET™

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