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描述 Description
These HEXFET Power MOSFETs were designed specifically to meet the demands of CPU core DC-DC converters in the PC environment. Advanced processing techniques combined with an optimized gate oxide design results in a die sized specifically to offer maximum efficiency at minimum cost.
● Advanced Process Technology
● Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive
● Ideal for CPU Core DC-DC Converters
● Fast Switching
产品属性
- 型号：
IRL3202
- 功能描述：
MOSFET N-CH 20V 48A TO-262
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR/VISHAY |
24+ |
NA/ |
22800 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO 220 |
161523 |
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IR |
01+ |
TO-220 |
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IR |
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TO-263 |
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IR |
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TO-220 |
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IR |
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TO-220 |
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询价 | |||
IR |
2023+ |
TO-263 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
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IR/VISHAY |
25+ |
TO-TO-220 |
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IR |
24+ |
TO-220 |
5000 |
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