| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY | IRF International Rectifier | IRF | ||
HEXFETPowerMOSFET | IRF International Rectifier | IRF | ||
PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.019ohm,Id=46A?? | IRF International Rectifier | IRF | ||
N-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p | IRF International Rectifier | IRF | ||
Logic-LevelGateDrive | IRF International Rectifier | IRF | ||
HEXFET짰PowerMOSFET | IRF International Rectifier | IRF | ||
Logic-LevelGateDrive | IRF International Rectifier | IRF | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
HEXFET짰PowerMOSFET | IRF International Rectifier | IRF |
详细参数
- 型号：
IRL3103L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 64A TO-262
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-262 |
501175 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
IR |
24+/25+ |
4650 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
IR |
24+ |
TO-262 |
799 |
询价 | |||
IR |
2015+ |
TO-262 |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
询价 | ||
ir |
06+ |
TO-262 |
15000 |
原装库存 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
7600 |
全新原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
35890 |
询价 | |||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON |
1503+ |
TO-262 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 |
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