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IRL1404ZS	文件：648.46 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：648.46 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRL1404ZSPBF	文件：793.38 Kbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET짰 Power MOSFET Description This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features comb 文件：793.38 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRL1404ZSTRLPBF	文件：291.23 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：291.23 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRL1404ZS	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2Pak 封装的 40V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度\n• 逻辑电平;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRL1404ZSTRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
40 V
RDS (on) @10V max：
3.1 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
5.9 mΩ
ID @25°C max：
200 A
QG typ @4.5V：
75 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1.4 V
VGS(th) max：
2.7 V
VGS(th)：
2.05 V
Technology：
IR MOSFET™

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