RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)

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Simple Drive Requirements

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抗辐射 MOSFET

IRHYS67134CM R6 N 沟道 MOSFET 具有抗辐射性能，额定电压为 150V，额定电流为 19A。它采用 TO-257AA 低欧姆封装，并且已经过高达 100krad(Si) TID 的电气性能测试。其低 RDS(on) 和更快的开关时间使其成为 DC-DC 转换器和电机控制器等高速开关应用的理想选择。 • Single event effect(SEE)hardened\n• Low total gate charge\n• Simple drive requirements\n• Electrically isolated\n• Light weight\n• ESD rating: Class 2 per MIL-STD-750, Method 1020;

Infineon

英飞凌

抗辐射 MOSFET

\n优势:;

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