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IRHQ567110

RADIATION HARDENED 100V, COMBINATION 2N-2P-CHANNEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28)

文件:199.12 Kbytes 页数:14 Pages

IRF

IRHQ567110

Simple Drive Requirements

文件:240.75 Kbytes 页数:14 Pages

IRF

IRHQ567110

抗辐射 MOSFET

\n优势:;

Infineon

英飞凌

IRHQ567110_15

Simple Drive Requirements

文件:240.75 Kbytes 页数:14 Pages

IRF

IRHQ567110N

RADIATION HARDENED 100V, COMBINATION 2N-2P-CHANNEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28)

文件:199.12 Kbytes 页数:14 Pages

IRF

IRHQ567110P

RADIATION HARDENED 100V, COMBINATION 2N-2P-CHANNEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28)

文件:199.12 Kbytes 页数:14 Pages

IRF

IRHQ567110SCS

Quad channel rad hard power MOSFETs

\n优势:;

Infineon

英飞凌

IRHQ567110SCV

抗辐射 MOSFET

IRHQ567110SCV 是一款 R5、抗辐射、100V 双 2N/2P 通道 MOSFET,采用 28 针 LCC 封装。该MOSFET的电气性能高达100krad(Si) TID和QIRL分类。该器件具有低 RDS(on) 和低总栅极电荷,非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用。MOSFET 具有开关速度快、温度稳定等优点,可靠地适用于太空应用。

Infineon

英飞凌

技术参数

  • ID (N-CH @100°C) max:

    2.9 A

  • ID (N-CH @25°C) max:

    4.6 A

  • ID (P-CH @100°C) max:

    -1.8 A

  • ID (P-CH @25°C) max:

    -2.8 A

  • QG:

    13 nC

  • RDS (on)(N-CH @25°C) max:

    270 mΩ

  • RDS (on)(P-CH @25°C) max:

    960 mΩ

  • VBRDSSmin:

    100 V

  • Product Category:

    Rad hard MOSFETS

  • Optional TID Rating(kRad(si)):

    300

  • Package:

    28-pin LCC

  • Polarity:

    2N / 2P

  • Generation:

    R5

  • Voltage Class:

    100 V

  • Die Size:

    1

  • Qualification:

    QIRL

  • Language:

    SPICE

  • Configuration:

    Quad

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
23+
8000
只做原装现货
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INFINEON
23+
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IR
22+
SOT-252
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
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25+
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IR
24+
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24+
SOT-1451&NBS
4500
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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