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IRHNJ597130	文件：122.96 Kbytes Page：8 Pages	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) 文件：122.96 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRHNJ597130	文件：135.7 Kbytes Page：8 Pages	Simple Drive Requirements 文件：135.7 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRHNJ597130_15	文件：135.7 Kbytes Page：8 Pages	Simple Drive Requirements 文件：135.7 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRHNJ597130SCSA	文件：300 bytes Page：1 Pages	抗辐射 MOSFET IRHNJ597130SCSA P 通道 MOSFET 具有抗辐射性能，电压为 -100V，电流为 -12.5A，采用单个 SMD-0.5 封装，带引线。其电气性能高达100krad(Si) TID和QIRL分类。IR HiRel R5 技术在高可靠性空间应用方面提供了经过验证的飞行传承。该器件的低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为开关应用的理想选择。	Infineon 英飞凌	Infineon
IRHNJ597130SCVB	文件：300 bytes Page：1 Pages	抗辐射 MOSFET \n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

ID (@100°C) max：
-8 A
ID (@25°C) max：
-12.5 A
QG：
45 nC
QPL Part Number：
2N7545U3
RDS (on)(@25°C) max：
205 mΩ
TIDmax：
100 Krad(Si)
VBRDSS：
-100 V
VFmax：
-5 V
Product Category：
Rad hard MOSFETS
Optional TID Rating(kRad(si))：
100 300
Package：
SMD-0.5
Polarity：
P
Generation：
R5
Voltage Class：
100 V
Die Size：
3
Qualification：
QIRL
Language：
SPICE
Configuration：
Discrete

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRHNJ597130	IR	22+	QPL	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRHNJ597130	IR	23+	QPL	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
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更多IRHNJ597130供应商更新时间2026-10-11 14:00:00

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