抗辐射 MOSFET

IRHNA67260SCS 是采用 SMD-2 封装的单个 R6 N 沟道 MOSFET，能够处理高达 200V 和 40A 的电压。它具有抗辐射性能，电气性能高达 100krad(Si) TID 和 QIRL 分类。由于其具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，因此凭借其电压控制、快速开关和温度稳定性，它非常适合空间应用。

Infineon

英飞凌

Radiation Hardened Power MOSFET Surface Mount (SupIR-SMD™) 200V, 56A, N-channel, R6 Technology

Features  Single event effect (SEE) hardened (up to LET of 90 MeV·cm2/mg)  Low RDS(on)  Low total gate charge  Simple drive requirements  Hermetically sealed  Ceramic package  Light weight  Surface mount  ESD rating: Class 3A per MIL-STD-750, Method 1020 Potential Application

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IRF

RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)

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IRF

Simple Drive Requirements

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IRF

Simple Drive Requirements

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