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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRHNA593160 | 抗辐射 MOSFET IRHNA593160 是一款 R5、抗辐射、-100V、-47A、单 P 通道 MOSFET，采用 SMD-2 封装。其电气性能高达300krad(Si) TID，并具有低RDS(on)和低栅极电荷，使其适用于DC-DC转换器和电机控制器等开关应用，同时保留了MOSFET在太空和其他极端环境中的优势。 | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
IRHNA593160 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) 文件：129.71 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | |
P-channel rad hard power MOSFETs \n优势:; | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (Low-Ohmic TO-254AA) 文件：170.85 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) 文件：174.24 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF |
技术参数
- ID (@100°C) max：
-30 A
- ID (@25°C) max：
-47 A
- QG：
170 nC
- QPL Part Number：
2N7550U2
- RDS (on)(@25°C) max：
49 mΩ
- TIDmax：
300 Krad(Si)
- VBRDSS：
-100 V
- VFmax：
-5 V
- Product Category：
Rad hard MOSFETS
- Optional TID Rating(kRad(si))：
100 300
- Package：
SMD-2
- Polarity：
P
- Generation：
R5
- Voltage Class：
100 V
- Die Size：
6
- Qualification：
COTS
- Language：
SPICE
- Configuration：
Discrete
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
SMD-2 |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SMD-2 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SMD-2 |
7000 |
询价 | |||
IR/美国国际整流 |
23+ |
SMD-2 |
5000 |
公司只做原装,可配单 |
询价 | ||
IR |
2447 |
20 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
CHINA |
23+ |
SMD-2 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
24+ |
SMD |
10 |
“芯达集团”专营军工百分之百原装进口 |
询价 | ||
IR |
专业军工 |
NA |
1000 |
只做原装正品军工级部分订货 |
询价 |
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更新时间2026-1-28 14:00:00
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