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IRHNA57Z60	文件：125.54 Kbytes Page：8 Pages	RADIATION HARDENED POWER MOSFET 文件：125.54 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRHNA57Z60	文件：198.28 Kbytes Page：8 Pages	Simple Drive Requirements 文件：198.28 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRHNA57Z60	文件：300 bytes Page：1 Pages	抗辐射 MOSFET IRHNA57Z60 抗辐射单 N 沟道 MOSFET 非常适合空间应用，具有 30V 和 75A 的功能。低 RDS(on) 和栅极电荷可降低开关应用中的功率损耗，同时保留 MOSFET 的优势。这些 R5 COTS 设备的特点是总剂量和单粒子效应 (SEE)，电气性能高达 100krad (Si) TID，并采用 SMD-2 封装。	Infineon 英飞凌	Infineon
IRHNA57Z60_15	文件：198.28 Kbytes Page：8 Pages	Simple Drive Requirements 文件：198.28 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRHNA57Z60D	文件：300 bytes Page：1 Pages	抗辐射 MOSFET \n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

ID (@100°C) max：
75 A
ID (@25°C) max：
75 A
QG：
200 nC
QPL Part Number：
2N7467U2
RDS (on)(@25°C) max：
3.5 mΩ
TIDmax：
100 Krad(Si)
VBRDSS：
30 V
VFmax：
1.3 V
Product Category：
Rad hard MOSFETS
Optional TID Rating(kRad(si))：
100 300 500
Package：
SMD-2
Polarity：
N
Generation：
R5
Voltage Class：
100 V
Die Size：
6
Qualification：
COTS
Language：
SPICE
Configuration：
Discrete

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