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IRHN7450	文件：310.25 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET TRANSISTOR 500Volt, 0.45Ω, MEGA RAD HARD HEXFET International Rectifier’s RAD HARD technology HEXFETs demonstrate excellent threshold voltage stability and breakdown voltage stability at total radiaition doses as high as 1x106 Rads(Si). Under identical pre- and post-irradiation test conditions, Internationa 文件：310.25 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRHN7450	文件：658.07 Kbytes Page：12 Pages	Simple Drive Requirements 文件：658.07 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRHN7450	文件：300 bytes Page：1 Pages	抗辐射 MOSFET IRHN7450 抗辐射 N 沟道 MOSFET，采用 SMD-1 封装，为空间应用提供高性能。这款 R4 MOSFET 的额定电压为 500V，电流处理能力为 11A，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机控制中的功率损耗。该 COTS 设备提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能，确保关键任务应用的可靠性能。	Infineon 英飞凌	Infineon
IRHN7450_15	文件：658.07 Kbytes Page：12 Pages	Simple Drive Requirements 文件：658.07 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRHN7450SE	文件：111.34 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.51ohm, Id=12A) 文件：111.34 Kbytes 页数：4 Pages	IRF	IRF
IRHN7450SE	文件：250.17 Kbytes Page：8 Pages	Simple Drive Requirements 文件：250.17 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRHN7450SE_15	文件：250.17 Kbytes Page：8 Pages	Simple Drive Requirements 文件：250.17 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRHN7450SESCS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Rad hard MOSFETs \n优势:\n;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

ID (@100°C) max：
7 A
ID (@25°C) max：
11 A
QG：
150 nC
QPL Part Number：
2N7270U
RDS (on)(@25°C) max：
450 mΩ
TIDmax：
100 Krad(Si)
VBRDSS：
500 V
VFmax：
1.6 V
Product Category：
Rad hard MOSFETS
Optional TID Rating(kRad(si))：
100 300 500
Package：
SMD-1
Polarity：
N
Generation：
R4
Voltage Class：
100 V
Die Size：
5
Qualification：
DLA
Language：
SPICE
Configuration：
Discrete

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