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IRHMS67164SCS	文件：300 bytes Page：1 Pages	抗辐射 MOSFET IRHMS67164SCS 是一款单抗辐射 N 沟道 MOSFET，专为空间应用而设计，额定电压为 150V，额定电流为 45A。其 TO-254AA 低欧姆封装和 R6 技术可提供卓越的功率并提高对单粒子效应 (SEE) 的免疫力，LET 高达 85 MeV·cm2/mg。该器件具有低 RDS(on) 和快速开关时间，非常适合 DC-DC 转换器和电机驱动器。	Infineon 英飞凌	Infineon
IRHMS67164SCSA	文件：300 bytes Page：1 Pages	抗辐射 MOSFET \n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRHNA67164	文件：198.16 Kbytes Page：9 Pages	Simple Drive Requirements 文件：198.16 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRHNA67164	文件：139.35 Kbytes Page：8 Pages	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-2) 文件：139.35 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

ID (@100°C) max：
44 A
ID (@25°C) max：
45 A
QG：
230 C
QPL Part Number：
2N7582T1
RDS (on)(@25°C) max：
19 mΩ
TIDmax：
100 Krad(Si)
VBRDSSmin：
150 V
VFmax：
1.2 V
Product Category：
Rad hard MOSFETS
Optional TID Rating(kRad(si))：
100 300
Package：
TO-254AA Low Ohmic
Polarity：
N
Generation：
R6
Voltage Class：
100 V
Die Size：
6
Qualification：
QIRL
Language：
SPICE
Configuration：
Discrete

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