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IRHMS57163SE	文件：197.92 Kbytes Page：8 Pages	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) 文件：197.92 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
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IRHMS57163SE	文件：300 bytes Page：1 Pages	抗辐射 MOSFET \n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRHMS57163SESCS	文件：300 bytes Page：1 Pages	抗辐射 MOSFET IRHMS57163SESCS R5 N 沟道 MOSFET 是一种航天级器件，具有防辐射设计、额定电压为 130V、额定电流为 45A。它采用 TO-254AA 低欧姆封装，提供高达 100krad(Si) TID 和 QIRL 分类的电气性能。该 MOSFET 具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗。	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

ID (@100°C) max：
45 A
ID (@25°C) max：
45 A
QG：
160 C
QPL Part Number：
2N7475T1
RDS (on)(@25°C) max：
14.5 mΩ
SEE：
Yes
TIDmax：
100 Krad(Si)
VBRDSSmin：
130 V
VFmax：
1.2 V
Product Category：
Rad hard MOSFETS
Optional TID Rating(kRad(si))：
100
Package：
TO-254AA Low Ohmic
Polarity：
N
Generation：
R5
Voltage Class：
100 V
Die Size：
6
Qualification：
QIRL
Language：
SPICE
Configuration：
Discrete

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更多IRHMS57163SE供应商更新时间2026-2-2 14:04:00

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