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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRHMB57Z60 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Tabless - Low-Ohmic TO-254AA) 文件：172.24 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | |
IRHMB57Z60 | Simple Drive Requirements 文件：169.82 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | |
IRHMB57Z60 | 抗辐射 MOSFET IRHMB57Z60 R5 抗辐射 N 沟道 MOSFET，采用 TO-254AA 无凸缘低欧姆封装，具有 45A 和 30V 能力。凭借高达 100krad（Si）的 TID 公差和 COTS 分类，它在太空和卫星应用中具有出色的性能和可靠性。其低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择，同时保留了 MOSFET 的优点，如电压控制、快速开关和温度稳定性。 | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
Simple Drive Requirements 文件：169.82 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
抗辐射 MOSFET \n优势:; | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- ID (@100°C) max：
45 A
- ID (@25°C) max：
45 A
- QG：
240 nC
- RDS (on)(@25°C) max：
4.5 mΩ
- TIDmax：
100 Krad(Si)
- VBRDSS：
30 V
- VFmax：
1.2 V
- Product Category：
Rad hard MOSFETS
- Optional TID Rating(kRad(si))：
100 300 500
- Package：
TO-254AA Tabless Low Ohmic
- Polarity：
N
- Generation：
R5
- Voltage Class：
100 V
- Die Size：
6
- Qualification：
COTS
- Language：
SPICE
- Configuration：
Discrete
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
7000 |
询价 | ||||
IR |
22+ |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
询价 | |||
IR/美国国际整流 |
23+ |
TO-254AA |
5000 |
公司只做原装,可配单 |
询价 | ||
IR |
2223+ |
TO-254AA |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 |
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更新时间2026-2-7 15:01:00
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